有掩膜光刻機

1.產(chǎn)品概述：

MA12是專為對準(zhǔn)和曝光300毫米以下方形襯底和晶圓而設(shè)計的，適合于工業(yè)研究和生產(chǎn)。憑借靈活處理和過程控制解決方案，本設(shè)備主要用于優(yōu)良封裝，包括3D圓晶級芯片尺寸封裝, 以及開發(fā)和生產(chǎn)敏感元件，如MEMS。。

2.產(chǎn)品優(yōu)點：

一個涵蓋微觀到納米壓印的工具

能夠可靠地處理彎曲晶圓片和敏感材料

高的光均勻性

強大的工藝控制

增強的SUSS調(diào)平系統(tǒng)

占地面積小，增強了人機工程學(xué)特性

3.產(chǎn)品工藝：

頂面對準(zhǔn)：在光刻工藝中，只需對準(zhǔn)器件晶圓同側(cè)的結(jié)構(gòu)（例如再布線層、微凸點 等），用頂部對準(zhǔn)功能將掩模位置標(biāo)記對準(zhǔn)晶圓位置標(biāo)記。 根據(jù)襯底的特性，這可以用存儲的晶圓位置數(shù)據(jù)或者用兩個現(xiàn)場照片 、SUSS MicroTec 開發(fā)的DirectAlign™ 直接對準(zhǔn)技術(shù)實現(xiàn)。

背面對準(zhǔn)：應(yīng)用微電子機械系統(tǒng)（MEMS）、圓晶級封裝和三維集成的工藝，例如在接板上制造垂直通孔 (TSV)，需要與正面結(jié)構(gòu)對準(zhǔn)的晶圓背面結(jié)構(gòu)。 此時常使用光學(xué)背面對準(zhǔn)。 集成攝像機系統(tǒng)采集掩模結(jié)構(gòu)和晶片背面結(jié)構(gòu)并將它們相互對準(zhǔn)。 由于晶圓在裝載掩模靶后被覆蓋，必須預(yù)先確定并存儲其位置。 這對整個對準(zhǔn)系統(tǒng)提出了特殊的要求。

提高對準(zhǔn)精度：當(dāng)對套刻精度有較高要求時，大大提升標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)的自動對準(zhǔn)功能。DirectAlign®，SüSS MicroTecs 圖像識別軟件附加功能，放棄圖片存儲系統(tǒng)中的結(jié)構(gòu)圖文件，取而代之的是訪問實況圖。結(jié)構(gòu)識別基于工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) PatMax 且取得了優(yōu)異成績。因此，在 SUSS 掩模對準(zhǔn)器上用 Direct Align® 進行頂面對準(zhǔn)時對準(zhǔn)精度可達(dá)到 0.5 微米。

晶圓和掩模輔助裝片：操作者輔助的系統(tǒng)，與人工晶圓把持的優(yōu)勢相結(jié)合，保持了高度的工藝可控與可靠性。