12英寸立式中高溫氧化爐THEORIS X302H主要用于12英寸1000℃-1200℃高溫和超高溫氧化和退火工藝。該機(jī)臺(tái)為立式單腔爐管系統(tǒng)，工藝處理過(guò)程實(shí)現(xiàn)了高度自動(dòng)化。系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊、電源柜等部分組成。THEORIS X302P主要用于12英寸600℃-1000℃氧化及退火工藝。該機(jī)臺(tái)為立式單腔爐管系統(tǒng)，工藝處理過(guò)程實(shí)現(xiàn)了高度自動(dòng)化系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊、電源柜等部分組成。

Veeco 的 LSA201 激光尖峰退火 （LSA） 系統(tǒng)具有與 LSA101 相同的架構(gòu)，可在掃描激光系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)全晶圓環(huán)境控制。該微室在于它不需要使用真空負(fù)載鎖。該系統(tǒng)能夠運(yùn)行任何惰性氣體的混合物，包括合成氣體。LSA201 適用于高 k 金屬柵極結(jié)活化和鎳硅化物形成等應(yīng)用。

LSA 101 激光尖峰退火設(shè)備 系統(tǒng)安裝的 IDM 和晶圓代工廠，是大批量制造 40nm 至 140nm 節(jié)點(diǎn)的先進(jìn)邏輯器件的技術(shù)。LSA 101 的掃描技術(shù)基于 Veeco 的可定制 Unity 平臺(tái)™構(gòu)建，在均勻性和低應(yīng)力處理方面具有根本優(yōu)勢(shì)。

由德國(guó)UNITEMP研發(fā)的用于 200 毫米（8 英寸）晶圓尺寸或 M10 182 x 182 毫米太陽(yáng)能硅片的快速退火爐RTP-200。

由德國(guó)UNITEMP研發(fā)符合高真空標(biāo)準(zhǔn)的快速退火爐，升溫速率高達(dá) 75 K/sec。，升溫速率高達(dá) 150 K/sec。主要特點(diǎn)：良好的溫度均勻性、精確控制的斜坡上升速率和快速斜坡下降速率、工藝周轉(zhuǎn)時(shí)間短、舒適的氣體控制、臺(tái)式系統(tǒng)，占地面積小。

由德國(guó)UNITEMP研發(fā)的真空快速退火爐RTP-150-EP，升溫速率高達(dá) 150 K/sec。主要特點(diǎn)：良好的溫度均勻性、精確控制的斜坡上升速率和快速斜坡下降速率、工藝周轉(zhuǎn)時(shí)間短、舒適的氣體控制、臺(tái)式系統(tǒng)，占地面積小。